Jiance传感器 
2024-11-14
集成电路在制造过程中经历了材料制备、掩膜、光刻、清洗、刻蚀、掺杂、化学机械抛光等多个工序。其中以光刻工艺最为关键，决定着制造工艺的先进程度。
集成电路主要是利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效形窗口或功能图形的工艺技术。
光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。
下面介绍其主要过程：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶（前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶），是掩膜版上的图形被复制到光刻薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。
因为光刻技术决定着芯片的集成度，想要提高芯片的集成度，就得需要更高要求的光刻技术。就目前的形势来看，晶体管的尺寸会在将来继续缩微变小。也就意味着未来的芯片技术会更加拔高。
版权所有©2020 深圳市麟瑞恒电子技术有限公司
粤ICP备2020087891号
技术支持: 神灯资讯
